特許

J-GLOBAL ID：200903002563186508

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 堀田 祐治 ,  望月 周 ,  坂本 享枝 ,  吉岡 昌宏
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061848
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242333
出願日： 1997年03月01日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】封止樹脂層が吸湿水分のはんだ付け時の蒸発による水蒸気圧で破壊する現象を金属箔の遮水作用による吸湿の低減で抑制するにあたり、封止樹脂層の成形熱応力履歴に起因する残留応力がはんだ付け時の加熱で応力フリ-になることの有利性を、金属箔遮水層の使用にもかかわらず有効に確保し得、封止樹脂層のはんだ付け時の加熱によるクラック破壊を合理的に防止できる半導体装置を製造する。【解決手段】半導体装置の樹脂封止において、封止樹脂材と共に金属箔42を配し、加熱・加圧で金属箔42を封止樹脂層41に一体的に設ける。

請求項（抜粋）：

絶縁フィルムの片面上に導体配線を有し、かつ中央に開口部を備えた配線基材の片面側の中央に半導体素子を配し、該素子の電極と上記配線導体とを接合し、更に、上記開口部に封止樹脂材を加熱・加圧により充填して半導体素子の電極面側を封止する半導体装置の製造方法において、上記封止樹脂材と共に金属箔を配し、上記加熱・加圧で金属箔を封止樹脂層に一体的に設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 R