特許
J-GLOBAL ID:200903002563278283
Ni合金ターゲットおよびNi合金薄膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
鴨田 朝雄
, 鴨田 哲彰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-414662
公開番号(公開出願番号):特開2005-171341
出願日: 2003年12月12日
公開日(公表日): 2005年06月30日
要約:
【課題】 ターゲット特性(飽和磁化)に優れた使用効率の高いスパッタリングターゲット、かつ、電極膜特性(導電性および密着強度)に優れた薄膜を提供する。【解決手段】 Tiを1〜20質量%、Cuを1〜40質量%含み、残部が実質的にNiである組成を有するスパッタリングターゲットである。また、当該ターゲットを使用して、スパッタリング法によりセラミック基板上にNi合金薄膜を形成することにより、2層電極膜を作製する。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
Tiを1〜20質量%、Cuを1〜40質量%含み、残部が実質的にNiである組成を有するスパッタリングターゲット。
IPC (2件):
FI (2件):
C22C19/03 G
, C23C14/34 A
Fターム (4件):
4K029BA25
, 4K029DC01
, 4K029DC02
, 4K029DC04
引用特許:
出願人引用 (1件)
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チップ抵抗器用電極膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-311064
出願人:住友金属鉱山株式会社
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