特許

J-GLOBAL ID：200903002563278283

Ni合金ターゲットおよびNi合金薄膜

発明者： 渡辺 宏幸 ,  遠北 正和 ,  杉原 雅博 ,  小野 勝史
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (2件)： 鴨田 朝雄 ,  鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-414662
公開番号（公開出願番号）：特開2005-171341
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 ターゲット特性(飽和磁化)に優れた使用効率の高いスパッタリングターゲット、かつ、電極膜特性(導電性および密着強度)に優れた薄膜を提供する。【解決手段】 Tiを1〜20質量%、Cuを1〜40質量%含み、残部が実質的にNiである組成を有するスパッタリングターゲットである。また、当該ターゲットを使用して、スパッタリング法によりセラミック基板上にNi合金薄膜を形成することにより、2層電極膜を作製する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

Tiを1〜20質量%、Cuを1〜40質量%含み、残部が実質的にNiである組成を有するスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C22C19/03 ,  C23C14/34

FI (2件)：

C22C19/03 G ,  C23C14/34 A

Fターム (4件)：

4K029BA25 ,  4K029DC01 ,  4K029DC02 ,  4K029DC04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• チップ抵抗器用電極膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-311064   出願人：住友金属鉱山株式会社