特許
J-GLOBAL ID:200903002570433910
光電変換素子およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-067268
公開番号(公開出願番号):特開2008-226782
出願日: 2007年03月15日
公開日(公表日): 2008年09月25日
要約:
【課題】電解液による接着強度の低下を防止し、優れた封止信頼性を有するとともに、封止材の広い選択性を兼ね備えた光電変換素子を提供すること。【解決手段】本発明に係る光電変換素子10は、導電性の第一基材11を有する対極12と、前記第一基材と異なる面積を有し、絶縁性の透明な第二基材13と、該第二基材の一面に透明導電膜14を介して配され、少なくとも一部に色素を担持した多孔質酸化物半導体層15とを備え、該多孔質酸化物半導体層が前記第一基材の一面と対向して配される作用極16と、前記対極と前記作用極との間の少なくとも一部に配された電解質層17と、から構成され、前記第一基材と前記第二基材のうち狭い面積を有するいずれか一方の基材の側面部と、前記電解質層の側方とを少なくとも被覆するように配された封止部材18を備え、前記封止部材は、複数の層から構成されることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性の第一基材を有する対極と、
前記第一基材と異なる面積を有し、絶縁性の透明な第二基材と、該第二基材の一面に透明導電膜を介して配され、少なくとも一部に色素を担持した多孔質酸化物半導体層とを備え、該多孔質酸化物半導体層が前記第一基材の一面と対向して配される作用極と、
前記対極と前記作用極との間の少なくとも一部に配された電解質層と、から構成され、
前記第一基材と前記第二基材のうち狭い面積を有するいずれか一方の基材の側面部と、前記電解質層の側方とを少なくとも被覆するように配された封止部材を備え、
前記封止部材は、複数の層から構成されることを特徴とする光電変換素子。
IPC (3件):
H01M 14/00
, H01L 31/04
, H01M 2/08
FI (3件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
, H01M2/08 Z
Fターム (19件):
5F051AA14
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051GA03
, 5H011AA09
, 5H011AA17
, 5H011FF03
, 5H011GG01
, 5H011HH02
, 5H011HH13
, 5H032AA06
, 5H032AS09
, 5H032AS10
, 5H032AS16
, 5H032BB10
, 5H032CC04
, 5H032EE04
引用特許:
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