特許

J-GLOBAL ID：200903002571329334

多孔質体の製造方法

発明者： 田島 健一 ,  西薗 和博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-158823
公開番号（公開出願番号）：特開2001-342082
出願日： 2000年05月29日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：

【要約】【課題】大きな気孔率を有しながら、機械特性にすぐれた多孔質体を簡便に製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】セラミック成形体1の少なくとも表面の一部にマイクロ波吸収層2を形成した後、該セラミック成形体1に、周波数が1〜30GHzのマイクロ波3を照射し、前記マイクロ波吸収層2を介して前記セラミック成形体1を加熱することにより、マイクロ波吸収層2形成面から内部に向かって密度が小さくなるような密度の傾斜構造を有する多孔質体7を形成する。

請求項（抜粋）：

セラミック成形体の少なくとも表面の一部にマイクロ波吸収層を形成した後、該セラミック成形体に、周波数が1〜30GHzのマイクロ波を照射し、前記マイクロ波吸収層を介して前記セラミック成形体を加熱することにより、マイクロ波吸収層形成面から内部に向かって密度が小さくなるような密度の傾斜構造を有する多孔質体を形成することを特徴とする多孔質体の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 38/00 304 ,  B01D 39/20 ,  C04B 35/64

FI (3件)：

C04B 38/00 304 Z ,  B01D 39/20 D ,  C04B 35/64 F

Fターム (14件)：

4D019AA01 ,  4D019AA03 ,  4D019BA01 ,  4D019BA05 ,  4D019BA06 ,  4D019BA07 ,  4D019BB06 ,  4D019BC20 ,  4D019BD01 ,  4D019BD02 ,  4D019CA03 ,  4D019CB06 ,  4G019GA02 ,  4G019GA04