特許

J-GLOBAL ID：200903002573025413

半導体製造装置

発明者： 星野 正和 ,  渡辺 智司 ,  内野 敏幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212360
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078339
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】CVD装置等の低圧反応容器の壁面に付着,堆積する反応生成物を、反応容器に損傷を与えずに除去する事により、装置の長期安定稼働と歩留まりの向上を図る。【構成】CVD装置の反応容器1内に反応容器の材質と異なるコーティング膜20を成膜する。反応容器1のコーティング膜20上に堆積した堆積膜16をガスでエッチングする。堆積膜16がエッチングにより除去されると、次に、コーティング膜20がエッチングされるため、反応容器1内にN2 ガスが発生する。この濃度の変化をガス分析器10で監視し、堆積膜16のクリーニングのためのエッチングプロセスを終了する。

請求項（抜粋）：

反応容器、前記反応容器内にガスを導入するためのガス供給系,前記ガスを排気するためのガス排気系,ウエハ加熱冷却機構及びプラズマ源、または、どちらか一つにより構成し、前記反応容器内に設置したウエハに成膜やエッチングを行う半導体製造装置において、前記反応容器の材質と異なる膜を、予め前記反応容器の内壁面にコーティングした事を特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/302 B