半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-065911
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257351
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】SOI構造による効果を失わずに、要求される素子特性に応じて、所望の半導体素子にのみ選択的に十分な歪みをチャネル層に印加し、より高性能な半導体素子を低コストに形成する構造と製造方法を提供する。【解決手段】Si基板上に、絶縁層により分離された互いに組成の異なる半導体層を二層形成し、各半導体層上に所望特性の半導体装置を形成する。

請求項（抜粋）：

一主面を有する半導体基板と、この半導体基板の内部に前記一主面とは略平行に離間して形成された第1絶縁層と、この第1絶縁層上に位置させられた第1半導体層と、この第1半導体層上に選択的に形成された第2絶縁層と、前記第1半導体層とは異なる組成で前記第2絶縁層上に位置させられた第2半導体層と、前記第1半導体層とは異なる組成で前記第1半導体層上に積層して形成された第3半導体層とを備え、前記第2半導体層がチャネル領域として使用された電界効果トランジスタ及び第3半導体層がチャネル領域として使用された電界効果トランジスタとにより集積回路が構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/12 E , H01L 29/78 618 E , H01L 21/265 J , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 627 D

Fターム (25件)：

5F110AA04 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110NN78 , 5F110QQ17

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