特許
J-GLOBAL ID:200903002576745344
ウェーハサポートプレート
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
佐々木 功
, 川村 恭子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-377077
公開番号(公開出願番号):特開2004-207606
出願日: 2002年12月26日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】研削により薄くなった半導体ウェーハの取り扱いを容易とすると共に、半導体ウェーハの外周に欠けが生じても常に結晶方位を認識できるようにする。【解決手段】半導体ウェーハの結晶方位を示す結晶方位マーク12が形成されたウェーハサポートプレート10の支持面11において半導体ウェーハを支持し、その結晶方位マーク12によって常に結晶方位を認識できるようにする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体ウェーハを支持する支持面を有するウェーハサポートプレートであって、
支持された半導体ウェーハの結晶方位を示す結晶方位マークが形成されていることを特徴とするウェーハサポートプレート。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/304 622G
, H01L21/68 N
Fターム (13件):
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031HA02
, 5F031JA06
, 5F031JA28
, 5F031JA35
, 5F031JA36
, 5F031JA38
, 5F031MA22
, 5F031MA34
, 5F031PA02
, 5F031PA04
, 5F031PA08
引用特許:
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