特許
J-GLOBAL ID：200903002577512998
単結晶SiC及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-023271
公開番号（公開出願番号）：特開平11-228296
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：
【要約】【課題】 マイクロパイプ欠陥はもとより格子歪みや格子欠陥のない非常に良質の単結晶を低温かつ短時間の熱処理によって効率よく成長させることができ、半導体材料としての実用化及び適用性の拡大を促進可能とする。【解決手段】 α-SiC単結晶基材1の表面に水素イオン含有層2 ́を介して熱CVD法でβ-SiC層3を形成した後、その複合体Mを2000〜2200°Cの温度範囲で熱処理することによりβ-SiC層3の多結晶体をα-SiCに転化させるとともにα-SiC単結晶基材1の結晶軸と同方位に配向させてα-SiC単結晶4を一体に成長させる。
請求項（抜粋）：
α-SiC単結晶基材の表面に水素イオンの含有層を介して熱化学的蒸着法でβ-SiC層を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β-SiC層の多結晶体をα-SiCに転化させるとともに上記α-SiC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/36 A
, H01L 21/205
