特許
J-GLOBAL ID:200903002578385086
光照射を用いた陽極接合法及び装置及び製造物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
日比谷 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-283938
公開番号(公開出願番号):特開平5-201752
出願日: 1992年09月29日
公開日(公表日): 1993年08月10日
要約:
【要約】【目的】 陽極接合による接着を、ガラスの軟化点よりも低い温度で可能とする。【構成】 レーザー用電源1の出力をコントローラ3で調整して炭酸ガスレーザー発振器5で赤外線レーザー光の平行光Lpを発振し、Zn-Seレンズ6で拡散光Lpとして、Si基板S上に重ねたガラス板Gに照射する。直流電源9から電流計11を通して針状電極13よりガラス板Gに負電圧を印加し、ヒータ付プラテン7を介してSi基板Sに正電圧を印加する。約2W/cm2 の赤外光と約4μAの電流の流れる電圧を約200°Cにおいて10分間印加すると、ガラス板GとSi基板Sが接着可能となる。
請求項(抜粋):
導電体と非晶質絶縁体との陽極接合法であって、前記導電体と前記非晶質絶縁体とを当接させる工程と、前記当接させた導電体と非晶質絶縁体とに電圧を印加する工程と、前記当接させた導電体と非晶質絶縁体の当接部に向けて光束を照射する工程とから成り、前記電圧印加工程と光束照射工程により前記導電体と前記非晶質絶縁体とを前記非晶質絶縁体の転移点温度よりも低い温度で接合することを特徴とする光照射を用いた陽極接合法。
IPC (2件):
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