特許
J-GLOBAL ID：200903002580449911
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030275
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223797
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】MOSFET等のソース領域やpウエル領域の表面層に専用マスクを使用せずに、自己整合的に低抵抗のコンタクト領域を形成すること。【解決手段】pウエル領域1の表面に絶縁膜4を形成し、絶縁膜4を選択的に除去し、pウエル領域2の表面層に高濃度のヒ素原子でnソース領域2を形成し、全面に高濃度のホウ素原子をnソース領域2より浅く絶縁膜4a、4bを貫通させて、イオン注入し、その後の熱処理でpウエル領域1の表面層に高濃度のホウ素拡散領域3を形成し、全面に高濃度のヒ素原子を絶縁膜4bを貫通させ、絶縁膜4aを貫通させないようにイオン注入し、その後の熱処理でnソース領域2の表面層に高濃度のヒ素拡散領域15を形成し、酸化膜を堆積させて膜厚の厚い酸化膜40を形成し、nソース領域2上とnソース領域2に囲まれたホウ素拡散領域3上の絶縁膜40を選択的に除去し、nソース領域2の露出面とホウ素拡散領域の露出面と絶縁膜の表面とに同一金属膜を形成する。
請求項（抜粋）：
p形半導体領域の表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜を選択的に除去する工程と、絶縁膜が除去されたp形半導体領域の表面層に高濃度のヒ素原子でn形領域を形成する工程と、全面にn形領域より低濃度で、p形半導体領域より高濃度のホウ素原子をn形領域より浅くイオン注入し、その後の熱処理でp形半導体領域の表面層に高濃度のホウ素拡散領域を形成する工程と、n形領域上の絶縁膜とホウ素拡散領域上の絶縁膜とを選択的に除去する工程と、n形領域の露出面とホウ素拡散領域の露出面とに金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/265
, H01L 21/28
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/28 A
, H01L 21/265 X
, H01L 21/265 H
