有機絶縁膜及びその有機絶縁膜材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350040
公開番号（公開出願番号）：特開2001-163977
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は電気特性、熱特性、低吸水性に優れた有機絶縁膜材料、有機絶縁膜及び製造方法を提供する。【解決手段】ポリベンゾオキサゾール前駆体のアミノ基末端と、該前駆それと反応しうるd価以上の有機基を有する化合物(dは3以上)を反応させた反応物からなる有機絶縁膜材料、これを用いた一般式(4)で表される構造を主構造とするポリベンゾオキサゾール樹脂層がd価以上の有機基を有する化合物(dは3以上)の添加により密度が低下していることを特徴とする有機絶縁膜。【化1】(但し、一般式(2)中のnは2〜1000までの整数を示す。X、Yは式(2)より選ばれる構造を示す。)

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体と、該前駆体のアミノ基と反応しうるd価以上の有機基を有する化合物(dは3以上)とを反応させて、枝分かれ構造を有する重合体を合成し、更に、前記重合体を閉環させることにより得られる低密度化された一般式(4)で表される構造単位を主構造とする樹脂層からなることを特徴とする有機絶縁膜。【化1】(但し、一般式(1)中のnは2〜1000までの整数を示す。X、Yは式(2)より選ばれる構造を示す。)【化2】(式(2)中、Zは式(3)より選ばれる構造を示し、これらの構造中のベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、およびトリフルオロメチル基からなる群から選ばれる少なくとも1個の基で置換されていてもよい。)【化3】【化4】(但し、一般式(4)中のnは2〜1000までの整数を示す。X、Yは式(2)より選ばれる構造を示す。)

IPC (3件)：

C08G 73/22 , C08J 5/22 CFG , H01L 21/312

FI (3件)：

C08G 73/22 , C08J 5/22 CFG , H01L 21/312 A

Fターム (42件)：

4F071AA58 , 4F071AH12 , 4F071BA02 , 4F071BB02 , 4F071BC02 , 4J043PA09 , 4J043PA13 , 4J043PA19 , 4J043QB15 , 4J043QB34 , 4J043RA52 , 4J043SA06 , 4J043SA42 , 4J043SA47 , 4J043SA54 , 4J043SA71 , 4J043SB01 , 4J043SB02 , 4J043TA12 , 4J043TA47 , 4J043TA66 , 4J043TA71 , 4J043TB01 , 4J043TB02 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA132 , 4J043UB011 , 4J043UB061 , 4J043UB062 , 4J043UB122 , 4J043VA042 , 4J043VA052 , 4J043YB08 , 4J043YB24 , 4J043ZA46 , 4J043ZB50 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058AH03

引用特許：

審査官引用 (2件)

含フッ素ポリベンゾオキサゾール-ポリイミドの製造方法、及び半導体多層配線用層間絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-040290 出願人：住友ベークライト株式会社
特開平3-093832

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