特許
J-GLOBAL ID：200903002582699435
セラミック多層配線基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小松 秀岳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066196
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260845
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 電子機器の集積回路として用いられるセラミック多層配線基板を、安定した品質でしかも低コストで提供する。【解決手段】 W及び/又はMoを主成分とする配線導体層(2)を内蔵したアルミナ質セラミック多層基板(1)の表面にAg又はAuを主成分とする金属厚膜の表面導体層(3)を接続し、両者の接続部分であるスルーホール(5)およびその近傍にW/MoとIrおよびPtで、少なくともIr10wt%を含むものとの混合焼結層を設けたセラミック多層配線基板とその製造方法として、アルミナ質基板材料の内蔵導体材料および混合焼結層形成材料を非酸化性雰囲気で焼成し、ついで表面にAg又はAuを主成分とする導体厚膜形成用ペーストを配して空気中650°C以下で焼成する方法である。
請求項（抜粋）：
W及び/又はMoを主成分とする配線導体層を内蔵したアルミナ質セラミック多層基板の表面にAg又はAuを主成分とする金属厚膜の表面導体層を接続し、該表面導体層と内蔵配線導体層との接続部分であるアルミナ質基板のスルーホール部あるいはその外側近傍に、WあるいはWとMo40〜90wt%とIr及びPt10〜60wt%で、かつ少なくともIr10wt%を含む組成の混合焼結層を設けたことを特徴とするセラミック多層配線基板。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 S
, H05K 1/09 B
