特許

J-GLOBAL ID：200903002587755589

半導体部品の接合方法

発明者： ドナルド ディー.ベーコン ,  アヴィシャイ カッツ ,  チエン-スン リー ,  キング リエン タイ ,  ユ-マン ウォン
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177135
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 金-錫ハンダを用いて、低融点で自己整合可能なはんだ接合方法を提供することである。【構成】 本発明の第1体(ダイアモンド基板)20と第2体(半導体)10とを接合する方法は、(a)前記第1体の表面の少なくとも一部を被うように、バリア金属(W,Mo,Cr,Ru)からなるバリア層21を形成するステップと、(b)前記バリア層を被うように、第1金属(Ni)と第2金属(Sn)製の補助層22を前記バリア金属とともに堆積するステップと、(c)前記補助層の上に第1金属と第2金属製のウェット層23(金属間化合物Ni3sN4を形成する)を形成するステップと、(d)前記ウェット層の上にハンダ層24(厚さ5μm以下)を形成するステップとからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1体(20)と第2体(10)とを接合する方法において、 (a)前記第1体の表面の少なくとも一部を被うように、バリア金属からなるバリア層(21)を形成するステップと、(b)前記バリア層を被うように、第1金属と第2金属製の補助層(22)を前記バリア金属とともに堆積するステップと、(c)前記補助層の上に第1金属と第2金属製のウェット層(23)を形成するステップと、(d)前記ウェット層の上にハンダ層(24)を形成するステップと、からなることを特徴とする半導体部品の接合方法。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/58 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭51-078986