特許

J-GLOBAL ID：200903002591625509

半導体結晶ウェハの研磨方法及び半導体結晶ウェハ

発明者： 谷 毅彦 ,  植松 鋭 ,  池田 健 ,  秋山 弘樹
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287431
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100671
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 ヘイズレベルの低いウェハを安定に得るための半導体結晶ウェハの研磨方法及び半導体結晶ウェハを提供する。【解決手段】 研磨装置の研磨液に界面活性剤を添加すると、界面活性剤の減摩作用により、研磨装置の研磨布の機械作用を減少させることができる。この結果、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハを安定に得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの研磨方法において、研磨液に界面活性剤とアルカリ性水溶液とを混合したものを用いて半導体ウェハの表面を研磨することを特徴とする半導体結晶ウェハの研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L 21/304 622 C ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17