特許

J-GLOBAL ID：200903002593285128

多層基板の製造方法

発明者： 福島 英沖 ,  長谷川 英雄 ,  曽根 正浩 ,  矢崎 芳太郎
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 高橋 祥泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-323636
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149941
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス基板と誘電体との双方を加熱むらなく均一に焼成することができ,かつ誘電体の誘電率を高く維持することができる,多層基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 未焼成の多層基板1の周囲にマイクロ波吸収体21を配置すると共に,マイクロ波照射を行うことにより上記未焼成の多層基板1の焼成を行う方法であって,上記多層基板1の焼成温度において,上記マイクロ波吸収体21のマイクロ波吸収エネルギーEKと上記セラミックス基板11のマイクロ波吸収エネルギーECとを合計したマイクロ波吸収エネルギーEGと,上記誘電体12のマイクロ波吸収エネルギーEDとが等しくなるように,上記マイクロ波吸収体21の誘電損失を調整した。

請求項（抜粋）：

誘電体と該誘電体の周囲を被覆するよう設けたセラミックス基板とよりなる多層基板を製造するに当り,未焼成の多層基板の周囲にマイクロ波吸収体を配置すると共に,マイクロ波照射を行うことにより上記未焼成の多層基板の焼成を行う方法であって,上記未焼成の多層基板の焼成温度において,上記マイクロ波吸収体のマイクロ波吸収エネルギーEKと上記セラミックス基板のマイクロ波吸収エネルギーECとを合計したマイクロ波吸収エネルギーEGと,上記誘電体のマイクロ波吸収エネルギーEDとが等しくなるように,上記マイクロ波吸収体の誘電損失を調整したことを特徴とする多層基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01G 4/12 364 ,  C04B 35/64

FI (2件)：

H01G 4/12 364 ,  C04B 35/64 F