特許

J-GLOBAL ID：200903002601561741

半導体装置

発明者： 向川 泰和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122610
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334050
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 水素を含まない保護膜を備えた半導体装置を得ること。【構成】 半導体基板3の上に融点が800°C以上の材料で形成されたメタル配線層12が設けられる。メタル配線層12は、素子2に電気的に接続される。メタル配線層12を覆うように、半導体基板1の上に、赤外吸収スペクトル分析においてSi-Hの吸収ピークのない窒化膜で形成された保護膜13が設けられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた素子と、前記半導体基板の上に設けられ、かつ前記素子に電気的に接続される、融点が800°C以上の材料で形成されたメタル配線層と、前記メタル配線層を覆うように前記半導体基板の上に設けられ、水素原子を含まない窒化膜で形成された保護膜と、を備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 27/10 434