特許

J-GLOBAL ID：200903002604998741

超電導素子

発明者： 津田 孝一 ,  松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  木村 浩 ,  石井 孝志 ,  大井 明彦 ,  向江 和郎
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261669
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112539
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】耐電圧に優れる超電導トランジスタを得る。【構成】基板1上に第二の導電型の酸化物超電導体3であるソース領域とドレイン領域、さらに第一の導電型の酸化物超電導体2と第二の導電型の酸化物超電導体3が積層された接合領域を設け、この接合領域上にゲート電圧の印加される絶縁層4を積層する。

請求項（抜粋）：

基板上にソース領域と、ドレイン領域と、接合領域と、絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有し、ソース領域と、ドレイン領域と、接合領域は基板上に直接的に積層され、接合領域はソース領域とドレイン領域の間に配置され、絶縁層は前記接合領域の上に積層され、ソース電極はソース領域に接続され、ドレイン電極はドレイン領域に接続され、ゲート電極は絶縁層に接続され、接合領域は薄膜である第一の導電型の酸化物超電導体と第二の導電型の酸化物超電導体の積層されたものであり、ソース領域とドレイン領域は同一の導電型の酸化物超電導体で、前記接合領域の同一導電型の酸化物超電導体を介して相互に接続されるものであることを特徴とする超電導素子。