特許
J-GLOBAL ID：200903002605619469
パターニングされたポリイミド膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340870
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283399
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 フォトレジスト・マスクを介するポリイミド前駆体の湿式現像によって、パターニングされたポリイミド膜を作成する方法を提供すること。【構成】 ポリアミン酸前駆体、典型的には3,3^,4,4^-ビフェニルテトラカルボン酸ジアンハイドライド-P-フェニレンジアミン(BPDA-PDA)から出発する。これを基板1塗布しプリベークする。その上でフォトレジストをパターニングして7、露出したポリアミン酸前駆体9を水溶性水酸化カリウムと接触させる。すると、この部分11はメタノール等に対して可溶性となる。メタノール現像後、フォトレジストを剥離し、熱サイクルでポリアミン酸前駆体を完全に硬化させて、低熱膨張係数のポリイミド・パターンを得る。
請求項（抜粋）：
イミド化すると基板とほぼ等しい熱膨張係数をもつポリイミドを形成することのできる、ポリアミン酸前駆体の層を前記基板上に塗布するステップと、前記ポリアミン酸前駆体中の溶媒はかなりの量が除去されるが、前記ポリアミン酸前駆体層は依然として現像できるような程度まで、前記ポリアミン酸前駆体層を、部分的に乾燥またはベークするステップと、前記ポリアミン酸前駆体層上にフォトレジストを塗布するステップと、前記フォトレジストをマスクを介して放射線でイメージ通り露光するステップと、前記ポリアミン酸前駆体層に対する活性よりも前記フォトレジストに対する活性の方が強い、第1の現像剤で前記フォトレジストを現像して、パターニングされたフォトレジストとポリアミン酸前駆体層と基板とからなる構造を作成するステップと、前記フォトレジストに対する活性よりも前記ポリアミン酸前駆体層に対する活性の方が強い、第2の現像剤中に前記構造を浸漬するステップと、前記第2現像剤にさらされた前記ポリアミン酸前駆体材料を除去して、パターニングされたポリアミン酸前駆体層を作成するステップと、前記パターニングされたポリアミン酸前駆体層から前記フォトレジストを除去するステップと、前記パターニングされたポリアミン酸前駆体層を硬化させて、基板の熱膨張係数と一致する低い熱膨張係数をもつ、パターニングされたポリイミドを形成するステップとを含む、パターニングされた低熱膨張係数のポリイミド膜を作成する方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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