特許
J-GLOBAL ID：200903002606932586
不揮発性DRAM装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005815
公開番号（公開出願番号）：特開平5-189977
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 製品歩留りおよびデータの信頼性を格段に向上できる不揮発性DRAM装置を実現する。【構成】 不揮発性DRAM1に電源が投入され、リフレッシュ要求発生回路6からマイクロプロセッサ2にリフレッシュ要求指令があると、該マイクロプロセッサ2から不揮発性DRAM1のバーCEピン、バーOEピン、バーWEピン、バーNEピンに制御信号が与えられ、これにより、まず、全ビットのリコール動作が行われ、続いて、リコール状態をリセットした後に、ストア動作を行う。
請求項（抜粋）：
揮発性動作モードおよびリコール動作とストア動作を有する不揮発性動作モードを併せ持つ不揮発性DRAM装置において、電源が投入されると、動作モードを該不揮発性動作モードに切換え、全メモリセルに渡ってリコール動作を行い、続いて全メモリセルに渡ってストア動作を行う不揮発性DRAM装置。
IPC (3件)：
G11C 14/00
, G11C 11/401
, G11C 16/06
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/34 371 E
, G11C 17/00 309 F
