特許
J-GLOBAL ID：200903002610065781
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368668
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188403
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 新規な半導体装置の作製方法を提供する【解決手段】絶縁表面上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体膜にN型またはP型の導電性を持つ不純物を注入し、熱処理によって水素化処理をする半導体装置作製方法であって、前記熱処理はプラズマを伴わず、かつ200°C〜500°Cで行うことを特徴とする半導体装置作製方法。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記半導体膜にN型またはP型の導電性を持つ不純物を注入し、熱処理によって水素化処理をする半導体装置作製方法であって、前記熱処理はプラズマを伴わず、かつ200 °C〜500 °Cで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/322
, H01L 21/324
, H01L 27/146
, H01L 31/10
, H04N 1/028
H01L 29/78 627 E
, H01L 21/322 Z
, H01L 21/324 X
, H04N 1/028 Z
, H01L 27/14 C
, H01L 31/10 A
