特許
J-GLOBAL ID：200903002612325314
薄膜磁気ヘツド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-228420
公開番号（公開出願番号）：特開平5-046929
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】薄膜磁気回路に対する磁気的悪影響を小さくして、寄生キャパシンタンス蓄積電荷に起因する放電を防止する。【構成】 スライダ1と、薄膜磁気変換素子2とを有する。スライダ1はその大部分を構成する導電性基体11と、その表面に設けられた絶縁膜12とを有する。薄膜磁気変換素子2は磁性膜21、22とコイル膜23とを含み、絶縁膜12の上に設けられ、磁性膜21、22の少なくとも一部が絶縁膜12に設けられた孔121を通して導電性基体11上に直接に形成されている。
請求項（抜粋）：
スライダと、薄膜磁気変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、その大部分を構成する導電性基体と、前記導電性基体の表面に設けられた絶縁膜とを有しており、前記薄膜磁気変換素子は、磁性膜とコイル膜とを含み、前記絶縁膜の上に設けられ、前記磁性膜の少なくとも一部が前記絶縁膜に設けられた孔を通して前記導電性基体上に直接に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
引用特許：
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