特許

J-GLOBAL ID：200903002618152640

半導体装置およびその製造方法

発明者： 福元 正人 ,  高木 万里子 ,  小澤 良夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030072
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233758
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】空乏層容量の増大を招くことなく、ゲート電極中のボロンがシリコン基板に拡散することを防止できるMOSトランジスタを実現すること。【解決手段】n型シリコン基板1上に形成されたゲート酸化膜2と、このゲート酸化膜2上に形成され、窒素を含み、膜厚がシリコン酸化膜の膜厚に換算して1nm以下のシリコン窒化膜3と、このシリコン窒化膜上に形成され、ボロンを含むポリシリコン膜からなるゲート電極4とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成され、窒素を含み、膜厚がシリコン酸化膜の膜厚に換算して1nm以下の薄膜と、この薄膜上に形成され、不純物を含むゲート電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。