特許

J-GLOBAL ID：200903002622495315

ダイナミツク型半導体記憶装置

発明者： 市口 哲一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316978
公開番号（公開出願番号）：特開平5-151773
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 ダイナミック型半導体記憶装置におけるワード線の信頼性を向上することを目的とする。【構成】 選択ワード線へ伝達されるべきワード線駆動信号RXを発生するワード線駆動信号発生回路705は、外部ロウアドレスストローブ信号*RAS(または/RAS)に応答してワード線駆動信号RXを発生するRX発生回路511と、動作電源電圧レベルまたは外部からの信号に応答してこのワード線駆動信号RXを昇圧すべきか否かを判別する判別回路701と、このワード線駆動信号RXと判別回路701の出力に応答してワード線駆動信号RXを昇圧する昇圧回路702を含む。【効果】 ワード線駆動信号RXは判別回路701が必要と判定したときのみ動作電源電圧レベル以上に昇圧される。これにより、常時ワード線へ高電圧が印加されることがなくなり、ワード線の耐圧劣化が防止され、ワード線の信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

選択されたワード線へ伝達されるべきワード線駆動信号を発生するワード線駆動信号発生手段、前記ワード線駆動信号と異なる信号に応答して、前記ワード線駆動信号発生手段から発生されたワード線駆動信号をさらに昇圧すべきか否かを判別する判別手段、および前記判別手段の出力と前記発生されたワード線駆動信号とに応答して前記発生されたワード線駆動信号をさらに昇圧する昇圧手段を備える、ダイナミック型半導体記憶装置。