特許
J-GLOBAL ID：200903002623207917
炭化ケイ素単結晶基板製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-037209
公開番号（公開出願番号）：特開平5-208897
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 種結晶からの不純物拡散による単結晶成長部分の汚染を防止し、高純度で結晶方位が揃った優れた品質の炭化ケイ素単結晶を製造する。【構成】 エピタキシャル成長によってSiベース11の上に形成したSiC膜12を、炭化ケイ素単結晶成長用の種結晶として使用する。成長用基板10は、黒鉛製基体20に載置された状態で結晶成長炉に配置される。炭化ケイ素原料の昇華温度域に到達する昇温過程で、Siベース11が黒鉛製基体20と反応して融合反応部13となり、種結晶として働くSiC膜12だけが残留する。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長によってSiC膜をSi板の表面に形成し、Siベース側が黒鉛製基体に接触するように前記Si基板を前記黒鉛製基体に載置し、炭化ケイ素原料の昇華温度域に至る昇温過程で前記Siベースを前記黒鉛製基体と融合一体化し、前記SiC膜を種結晶として残すことを特徴とする炭化ケイ素単結晶成長用基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 25/18
, C30B 25/02
, C30B 25/12
, C30B 29/36
