特許
J-GLOBAL ID：200903002624091734
スタティックランダムアクセスメモリセルおよびその形成プロセス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049195
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245349
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 比較的簡単な構成およびプロセスにより高いベータ比を達成しSRAMセルの設計の自由度を増大する。【構成】 SRAMセルが、パストランジスタ(11,14)に隣接するパスチャネルストップ領域(45,145)が、ラッチトランジスタ(12,15)に隣接するラッチチャネルストップ領域(44)と比較してより高いドーピング濃度を持つよう形成される。パスチャネルストップ領域は2つのチャネルストップドーピング工程を使用して形成されラッチチャネルストップ領域は1つのチャネルストップドーピング工程で形成される。該ドーピング工程はフィールドアイソレーションの前または後に行なうことができる。より高いドーピング濃度はパスチャネルストップ領域からドーパントをラッチチャネルストップ領域と比較してフィールドアイソレーションのエッジからさらに横方向に延在させる。
請求項（抜粋）：
スタティックランダムアクセスメモリセルであって、半導体基板(30)、パスフィールドエッジを有するパスフィールドアイソレーションセクションおよびラッチフィールドエッジを有するラッチフィールドアイソレーションセクションを含むフィールドアイソレーション領域(41)、前記パスフィールドアイソレーションセクションに隣接して横たわるパスチャネル領域(421)を有するパストランジスタ(11,14)、あるパスチャネルストップドーピング濃度を有するパスチャネルストップ領域(45)であって、該パスチャネルストップ領域(45)は、前記半導体基板(30)内に横たわり、前記パスフィールドアイソレーションセクションおよび前記パスチャネル領域(421)に隣接して横たわり、かつ前記パスフィールドアイソレーションセクションから第1の距離だけ前記パスフィールドエッジを超えて横方向に伸びているもの、前記ラッチフィールドアイソレーションセクションに隣接して横たわるラッチチャネル領域(422)を有するラッチトランジスタ、そしてあるラッチチャネルストップドーピング濃度を有するラッチチャネルストップ領域(44)であって、前記半導体基板(30)内に横たわり、前記ラッチフィールドアイソレーションセクションおよび前記ラッチチャネル領域(422)に隣接して横たわり、かつ前記ラッチフィールドアイソレーションセクションから第2の距離だけ前記ラッチフィールドエッジを超えて横方向に伸びているもの、を具備し、前記メモリセルは、前記パスチャネルストップドーピング濃度が前記ラッチチャネルストップドーピング濃度より高いこと、そして前記第1の距離が前記第2の距離より大きいこと、からなるグループから選択された特徴を有することを特徴とするスタティックランダムアクセスメモリセル。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
