特許
J-GLOBAL ID：200903002638093896
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
板垣 孝夫
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-140516
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322815
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】半導体素子の薄化に伴う接合部分のボイドを無くし、またボイドに水が入りこむことにより発生するパッケージクラックを防止でき、品位品質と生産性の向上を実現する半導体製造装置を提供することを目的とする。 【解決手段】基板24に設けられた実装済半導体素子21に対して、半導体素子8をボンディングする脱着手段1を備え、脱着手段1を、中央下部を頂点として湾曲状に形成された吸着面4を有し、弾性体により形成されているコレット2と、吸着面4の四隅に形成され、大気に比して負圧とすることにより半導体素子8を吸着する円筒状の真空孔5を有する構成とする。これにより、実装済半導体素子21に対して半導体素子8をその頂点から外周部(端部)に向かって押し付け、半導体素子8と実装済半導体素子21の間の接着部分に存在する空気を押し出すことができ、ボイドの発生を防止することができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ダイシングされた複数の半導体素子が接着されているダイシングシートから半導体素子を剥離し、基板またはリードフレームまたは基板に設けられた実装済半導体素子に半導体素子をボンディングする脱着手段を備える半導体製造装置であって、
前記脱着手段は、
中央下部を頂点として湾曲状に形成された吸着面を有し、弾性体により形成されているコレットと、
前記コレットの吸着面の四隅に形成され、大気に比して負圧とすることにより前記半導体素子を吸着する真空孔
を有していること
を特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L21/68
, H01L21/301
, H01L21/52
H01L21/68 E
, H01L21/68 B
, H01L21/52 F
, H01L21/78 Y
5F031CA13
, 5F031DA15
, 5F031FA05
, 5F031FA07
, 5F031FA11
, 5F031GA23
, 5F031HA78
, 5F031MA35
, 5F031MA40
, 5F031PA20
, 5F047FA08
, 5F047FA17
