特許

J-GLOBAL ID：200903002642090893

導体形成用貴金属系組成物

発明者： 山下 洋八 ,  奥和田 久美 ,  金井 秀之 ,  古川 修
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107493
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304043
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 誘電体と収縮カーブが類似しており、300〜700°Cにおける体積膨脹が生じにくく、MLC製造時に誘電体表面に薄く塗布しても、焼結後に内部電極の電極切れが生じず、かつ、エレクトロマイグレーションが少ない、導体形成用貴金属系組成物を提供する。【構成】 Pd含有率が10重量%以上のAg/Pd系金属材料を主成分粒子(1)とし、Ti、TiN、TiO、Ti2 O3 およびTi3 O5 からなる群のなかから選ばれた少なくとも1種のチタン系材料(2)を、Ti換算で、前記主成分粒子に対して0.05〜3.0重量%となるように、前記主成分粒子(1)の表面にコートする。

請求項（抜粋）：

Pdを10重量%以上含むAg/Pd系金属材料の粒子を主成分とし、Ti、TiN、TiO、Ti2 O3 およびTi3 O5 からなる群のなかから選ばれた少なくとも1種のチタン系材料を、該主成分に対してTi換算で0.05ないし3.0重量%の割合で含有することを特徴とする、導体形成用貴金属系組成物。

IPC (3件)：

H01G 4/12 427 ,  H01B 1/16 ,  H01G 1/01