特許
J-GLOBAL ID：200903002644426007
半導体加速度センサの製造方法及びフォトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201342
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058345
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】半導体加速度センサのリム部、おもり部及びたわみ部を異方性エッチングにより形成する際に、異方性エッチング用の補正マスクパターンにより発生するたわみ部上のシリコン面の凹凸を防止し、たわみ部の厚さを均一にすることにより信頼性が高く出力特性が一定の半導体加速度センサを提供する。【構成】おもり形状を定める補正マスクパターン51Cの形状をT字形にするとともに、横方向張り出し部52を貫通対応部30上にだけ配置する。補正マスクパターン51Cがたわみ部対応部20上にかかることがないので、補正マスクパターンに起因してシリコンのエッチング面に発生し、信頼性低下や出力特性ばらつきの原因となるシリコン層の凹凸は、たわみ部のシリコン面には生じない。補正マスクパターン51Cの影響により貫通対応部30上に発生するシリコン面の凹凸は、後工程の貫通孔形成用のシリコンエッチング時に除去されて消滅する。補正マスクパターンは、異方性エッチングの深さによっては、縦方向張り出し部53だけでも構わない。
請求項（抜粋）：
(100)面を主面に持つ単結晶シリコン基板に異方性エッチングを施して、平面形状が直角平行四辺形の厚肉のおもり部、前記おもり部を取り囲む厚肉のリム部並びに前記おもり部と前記リム部との間に設けられた貫通孔及び薄肉のたわみ部を備える半導体加速度センサを製造する方法において、前記単結晶シリコン基板の主面上に前記異方性エッチングに際して前記おもり部及び前記リム部を残すためのエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、前記エッチングマスクを用いて前記単結晶シリコン基板に異方性エッチングを施したわみ部形成領域及び貫通孔形成領域を薄肉化するエッチング工程とを含み、前記エッチングマスク形成工程で形成されるエッチングマスクのうち、おもり部形成用のエッチングマスクは、目的とするおもり形状に相当する形状の基本パターンと、それぞれ前記基本パターンのそれぞれの頂点部に配置された補正パターンとからなり、前記補正パターンのそれぞれはその平面形状が、前記基本パターンの各頂点から前記貫通孔形成領域方向に延びた辺と前記貫通孔形成領域に沿う辺の一部とを二辺とし前記貫通孔形成領域内に達する直角平行四辺形であるようにされたことを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/12
, H01L 21/306
