特許
J-GLOBAL ID:200903002646264713
湿式製膜可能な有機EL素子製造用材料及び有機EL素子
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (5件):
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 五十嵐 光永
, 佐々木 一也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-254268
公開番号(公開出願番号):特開2007-063489
出願日: 2005年09月02日
公開日(公表日): 2007年03月15日
要約:
【課題】湿式製膜可能であって発光効率や低電圧駆動性が顕著に改善された有機EL素子製造用材料、及びこれを用いて製造された有機EL素子の提供。【解決手段】溶剤中に共役系有機EL高分子(CPEL)と有機金属錯体(MOX)とを所定の割合で溶解して得られた湿式製膜可能な有機EL素子製造用材料であり、有機金属錯体(MOX)が高分子配位子(polyQ)と低分子配位子(K)とを有する一般式polyQ・M・Kn-1で表される高分子金属錯体(HM-C)及び/又は低分子配位子(K)のみを有する一般式M・Knで表される低分子金属錯体(LM-C)であり、高分子配位子(polyQ)が繰返し単位(Y)を有する高分子重合体の側鎖に必要によりスペーサ基(X)を介して8-ヒドロキシキノリン誘導体(Q)が導入された配位子であり、低分子配位子(K)が所定の8-ヒドロキシキノリン誘導体(K)からなる配位子であり、Mが2〜4価の金属イオンである。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
溶剤中に共役系有機EL高分子(CPEL)と高分子金属錯体(HM-C)及び/又は低分子金属錯体(LM-C)からなる有機金属錯体(MOX)とを所定の割合で溶解して得られた湿式製膜可能な有機EL素子製造用材料であり、
上記高分子金属錯体(HM-C)が、繰返し単位(Y)を有する高分子重合体の側鎖に必要によりスペーサ基(X)を介して8-ヒドロキシキノリン誘導体(Q)が導入された高分子配位子(polyQ)と、8-ヒドロキシキノリン誘導体(K)からなる低分子配位子(K)と、2〜4価の金属イオン(Mn+)とを反応させて得られた下記一般式(1)
polyQ・M・Kn-1 (1)
で表される高分子の有機金属錯体であって、
上記低分子金属錯体(LM-C)が、8-ヒドロキシキノリン誘導体(K)からなる低分子配位子(K)のみが2〜4価の金属イオン(Mn+)に配位した下記一般式(3)
M・Kn (3)
で表される低分子の有機金属錯体であり、
上記8-ヒドロキシキノリン誘導体(K)が、下記一般式(2)
IPC (3件):
C09K 11/06
, H01L 51/50
, H05B 33/10
FI (4件):
C09K11/06 680
, H05B33/14 B
, H05B33/10
, C09K11/06 660
Fターム (6件):
3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007FA01
引用特許: