特許

J-GLOBAL ID：200903002646564083

半導体装置の検査方法および検査装置

発明者： 片山 俊治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115458
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313862
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 被検査パターンと下層配線との電気的短絡に起因する不良についても検出することが可能な半導体装置の検査方法および検査装置を提供する。【解決手段】 電子銃101から放出された一次電子線102は、収束レンズ103および対物レンズ104により半導体装置を形成中のシリコン基板108に照射される。そして、一次電子走査線部106により制御された偏光器105により一次電子線102がシリコン基板108上を走査するのと同期して、一次電子線102の照射を受けてシリコン基板108から放出される二次電子112を二次電子検出器113で受け、二次電子強度として画像取得部114に与える。画像取得部114では、二次電子強度を輝度変調して二次電子画像を得る。そして、検出領域を変えて取得した画像を画像比較部115で比較し、被検査パターン-下層配線間電気的短絡検出部116で電気的短絡不良を自動的に検出する。

請求項（抜粋）：

被検査パターンに一次電子線を照射することで発生する二次電子を検出し、該二次電子の強度に基づいて作成した二次電子画像を用いて半導体基板上に形成途中の半導体装置を検査する検査方法であって、(a)前記半導体基板に負の電圧を印加する基板バイアス制御を行った状態で、前記二次電子画像として第1の画像を取得するステップと、(b)前記基板バイアス制御および前記半導体基板の表面に正電荷を帯電させる帯電制御を行った状態で、前記二次電子画像として第2の画像を取得するステップと、(c)前記第1の画像と前記第2の画像とを比較して、その差異に基づいて前記被検査パターンの欠陥および電気的不良箇所を検出するステップと、を備える半導体装置の検査方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/225 ,  G01N 27/22 ,  G01R 31/302 ,  H01J 37/22 502 ,  H01J 37/22

FI (6件)：

H01L 21/66 J ,  G01N 23/225 ,  G01N 27/22 C ,  H01J 37/22 502 A ,  H01J 37/22 502 H ,  G01R 31/28 L

Fターム (33件)：

2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001GA06 ,  2G001GA09 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001RA10 ,  2G001RA20 ,  2G060AA09 ,  2G060AE01 ,  2G060AF10 ,  2G060EA07 ,  2G060EB09 ,  2G060HC10 ,  2G060KA16 ,  2G132AA00 ,  2G132AD15 ,  2G132AF13 ,  2G132AL11 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA40 ,  4M106DH07 ,  4M106DH24 ,  4M106DJ07 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ32