特許
J-GLOBAL ID：200903002648532804
環境制御装置および環境制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066512
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020906
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 化学増幅型レジストを用いて微細なパターンを形成する際に用いることができる縮小投影露光装置の環境制御装置を提供する。【構成】 加圧送風機5により空気取り込み口3から取り込まれた空気は、温湿度制御システム6で温湿度を制御された後、吸着剤ユニット1、次にHEPAフィルタ7を通り、チャンバ2内に流れ込む。吸着剤としては、化学増幅型レジストの反応を阻害する不純物、例としてアンモニアガスなどのアルカリ性ガス、有機系のガス、および化学増幅型レジストの反応を必要以上に増進する酸系ガスを除去する吸着剤を用いている。これによりチャンバ内空気は、化学増幅型レジストの反応を阻害または必要以上に増進する不純物は除去されており、有効なパターンを得ることができる。したがって露光後化学増幅型レジストの反応が左右されることなく有効なパターン形状が得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの露光を行う縮小投影露光装置と、前記装置内の半導体ウエハ処理領域に、外部環境から取り込んだ空気を供給する空調装置と、前記空調装置の内部もしくは、空調装置と外部環境との間に配置されており、前記外部環境から取り込んだ空気からアミン系、酸系、有機系の不純物ガスを除去する除去装置あるいは、前記半導体ウエハ処理領域に対して、N2,Ar等の不活性ガスを供給する供給装置とを備えており、前記縮小投影露光装置のウエハ処理領域の雰囲気のアミン系、酸系、有機系の不純物ガス濃度が1ng/l以下となることを特徴とする環境制御装置。
FI (2件)：
H01L 21/30 301 Z
, H01L 21/30 311 L
