特許

J-GLOBAL ID：200903002649511720

水素吸蔵合金の製造方法

発明者： 佐野 達二 ,  賀屋 雅詔 ,  岩村 努 ,  長 勤
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 奥山 雄毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-343004
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146572
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 水素吸蔵合金の表面近傍にある低水素吸蔵量の異相を除去して、高水素吸蔵量の水素吸蔵合金の製造方法を提供する。【解決手段】 高温からの急冷工程で生成する水素吸蔵合金表面の異相を除去する手段を有することを特徴とする体心立方型水素吸蔵合金の製造方法であって、水素吸蔵合金表面の異相を酸又はヒドラジン類、ヒドラジン類のアルカリ溶液で除去する手段を有する体心立方型水素吸蔵合金の製造方法とする。これにより、水素吸蔵合金表面近傍に生成する水素吸蔵特性の低い異相を除去して、水素吸蔵量を大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

高温からの急冷工程で生成する水素吸蔵合金表面の異相を除去する手段を有することを特徴とする体心立方型水素吸蔵合金の製造方法。

IPC (4件)：

C23G 1/02 ,  C22C 1/00 ,  C22C 23/06 ,  H01M 4/38

FI (4件)：

C23G 1/02 ,  C22C 1/00 N ,  C22C 23/06 ,  H01M 4/38 A

Fターム (19件)：

4K053PA09 ,  4K053QA07 ,  4K053RA05 ,  4K053RA15 ,  4K053RA16 ,  4K053RA19 ,  4K053SA06 ,  4K053TA24 ,  4K053ZA10 ,  5H050AA08 ,  5H050BA14 ,  5H050CB16 ,  5H050FA17 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA27 ,  5H050HA10 ,  5H050HA13