特許

J-GLOBAL ID：200903002650776451

多結晶質シリコン膜製造装置及びそれを用いた製造方法並びに半導体装置

発明者： 坂本 弘美 ,  前川 真司 ,  細田 剛司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 祐二 ,  手島 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321990
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158584
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】別個独立の工程を追加することなく、表面平坦性の良好な多結晶質シリコン膜を得ることができるその製造装置を提供する。【解決手段】多結晶質シリコン膜製造装置(パルスレーザー照射装置)100は、非晶質シリコン膜210を多結晶質シリコン膜210’にするのに用いられるものである。多結晶質シリコン膜製造装置100は、非晶質シリコン膜210をその融点よりも高温に加熱して溶融させるレーザー光L1を発する第1レーザー光源120と、第1レーザー光源120からのレーザー光L1で非晶質シリコン膜210を加熱してなるシリコン溶融物が固化して多結晶質シリコン膜210’が形成される過程において、固化完了前の多結晶質シリコン膜210’の表面を部分的に溶融させるレーザー光L2を発する第2レーザー光源130と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン膜を多結晶質シリコン膜にするのに用いられる多結晶質シリコン膜製造装置であって、 非晶質シリコン膜をその融点よりも高温に加熱して溶融させた後、そのシリコン溶融物が固化して多結晶質シリコン膜が形成される過程において、固化完了前の多結晶質シリコン膜を加熱してその表面を部分的に溶融させる加熱手段を備えたことを特徴とする多結晶質シリコン膜製造装置。

IPC (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 G ,  H01L29/78 627G

Fターム (28件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA11 ,  5F052BA15 ,  5F052BA18 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA00 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA18 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP13 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35