特許

J-GLOBAL ID：200903002651725753

窒化物半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 太田 啓之
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089440
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274507
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 レーザ構造において高品質な反射鏡面を再現性良く得られる3族窒化物半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 活性層を含む3族窒化物半導体からなる結晶層の複数を、下地層上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成し、結晶層の最表面上に電極層を形成し、電極層上に金属膜をメッキし、基板及び下地層間の界面に向け、前記基板側から光を照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成し、結晶層を担持した前記下地層を前記分解物領域に沿って前記基板から剥離し、結晶層を担持した前記下地層を劈開し、レーザ共振器となるべき劈開面を形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

活性層を含む3族窒化物半導体からなる複数の結晶層を、3族窒化物半導体からなる下地層上に、順に積層して得られる窒化物半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、前記結晶層の最表面上に電極層を形成する電極層形成工程と、前記電極層上に金属膜をメッキするメッキ工程と、前記基板及び下地層間の界面に向け、前記基板側から光を照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、前記結晶層を担持した前記下地層を前記分解物領域に沿って前記基板から剥離する剥離工程と、前記結晶層を担持した前記下地層を劈開し、劈開面を形成する劈開工程と、を含むことを特徴とする製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/10 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

Fターム (14件)：

5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭54-107282