特許

J-GLOBAL ID：200903002653769960

粒子放出装置、電界放出型装置及びこれらの製造方法

発明者： 渡辺 英俊
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087546
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264109
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【構成】 カソード電極13上に、絶縁層15、ゲート電極14が順次被着し、ゲート電極14と絶縁層15とを貫通する微小孔20が形成されて電子放出源の主要部を構成する。絶縁層15の厚さt1 は、1μm未満、例えば 0.3μmとしてある。カソード電極13の上面は平坦であり、その微小孔20で露出する部分13Aが電子放出面として機能する。【効果】 両電極間に電圧を印加すると、電子放出面13A上にこの面に略平行に等電位面Em が形成される。電子eは等電位面に垂直方向に移動するので、大部分の電子eは、微小孔20を通って放出され、電子放出面13Aが平坦であるが故に放出電子の量が多くなり、電子放出効率が高い。

請求項（抜粋）：

第一の電極と第二の電極とが絶縁層を介して互いに対向して設けられ、前記第二の電極及び前記絶縁層を夫々貫通する微小孔が形成され、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧を印加することにより、所定の粒子が前記第一の電極の粒子放出面から前記微小孔を通して放出されるように構成されている粒子放出装置において、前記絶縁層の厚さが1μm未満であり、かつ、前記粒子放出面が実質的に平坦になっていることを特徴とする粒子放出装置。

IPC (4件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/15

FI (5件)：

H01J 1/30 B ,  H01J 1/30 Z ,  H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 B ,  H01J 31/15 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-358495   出願人：三洋電機株式会社