特許

J-GLOBAL ID：200903002655169839

レジストパターン形状のシミュレーション方法およびシミュレーション装置

発明者： 鳥海 実
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 溝井 章司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039295
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241984
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 拡散定数を求める予備的な実験をせずにレジストパターン形状を数値予測することを目的とする。【解決手段】 光学パラメータを用いてレジスト中の光強度分布と感光剤濃度分布を計算し(処理1)、レジストパラメータを用いて分子動力学法により感光剤の拡散定数を計算し(処理2)、処理1で求めた感光剤濃度分布を初期分布として処理2で求めた拡散定数を用いて拡散方程式から加熱後の感光剤濃度分布を計算し(処理3)、現像パラメータをもとにレジストパターン形状等を計算し(処理4)、処理4で計算して得られたレジストパターン形状等を表示する(処理5)。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレジストを露光する露光工程と、その後、拡散現象を起こすために加熱する露光後加熱工程とにより得られるレジストのパターン形状を予測するレジストパターン形状のシミュレーション装置において、前記露光後加熱工程における拡散現象を示す拡散パラメータを分子動力学法により計算する計算手段を備えたことを特徴とするレジストパターン形状のシミュレーション装置。

IPC (4件)：

G03F 7/26 501 ,  G03F 7/38 511 ,  G06F 17/00 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/26 501 ,  G03F 7/38 511 ,  G06F 15/20 D ,  H01L 21/30 568

Fターム (14件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096FA01 ,  2H096LA17 ,  5B049BB07 ,  5B049CC21 ,  5B049EE03 ,  5B049EE08 ,  5B049EE12 ,  5B049EE41 ,  5B049FF03 ,  5B049FF04 ,  5B049FF07 ,  5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-136662