特許
J-GLOBAL ID:200903002657875749
高誘電率誘電体磁器組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山谷 晧榮 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-269431
公開番号(公開出願番号):特開平5-109319
出願日: 1991年10月17日
公開日(公表日): 1993年04月30日
要約:
【要約】【目的】 本発明は高誘電率誘電体磁器組成物に関し、広い温度範囲にわたって誘電率の変化が少なく、誘電体損失が小さく、その組成にビスマスを含有しない高誘電率誘電体磁器組成物を提供することである。【構成】 主成分として、BaTiO3 :94.0〜99.0モル%、Ta2 O5 :0.5〜3.0モル%、ZnO:0.5〜3.0モル%の範囲からなる組成物である。
請求項(抜粋):
BaTiO3 : 94.0〜99.0モル%Ta2 O5 : 0.5〜 3.0モル%ZnO : 0.5〜 3.0モル%の範囲からなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器組成物。
IPC (4件):
H01B 3/12 303
, C04B 35/46
, H01B 3/12 312
, H01G 4/12 358
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