特許
J-GLOBAL ID：200903002658939260
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-249815
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074534
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】SOI型絶縁ゲート型トランジスタの広温度範囲の動作特性の安定化。【解決手段】シリコン支持基板1、埋め込み酸化膜(絶縁体膜)2、シリコン薄膜3、シリコン薄膜を用いて形成された絶縁ゲート型トランジスタ30、40とを有する半導体装置において、シリコン支持基板1と埋め込み酸化膜2との界面近傍において形成され、シリコン支持基板の不純物濃度以上に不純物が添加された不純物濃度層33、43と、不純物濃度層の電位を制御するための電極32、42と、電極を介して不純物濃度層の電位を温度に応じて変化させて、シリコン薄膜の埋め込み酸化膜に対する界面付近のバックチャネルの形成を抑制する温度補償回路とを設けたことを特徴とする。温度変動に応じて、不純物濃度層33、43に印加される電圧が制御されるので、広温度範囲において、バックチャネルの発生を抑制し、且つ、しきい値電圧を安定化させることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン支持基板の上に形成された絶縁体膜と、この絶縁体膜の上に形成されたシリコン膜と、このシリコン膜を用いて形成された絶縁ゲート型トランジスタとを有する半導体装置において、前記シリコン支持基板と前記絶縁体膜との界面近傍において形成され、前記シリコン支持基板の不純物濃度以上に不純物が添加された不純物濃度層と、前記不純物濃度層の電位を制御するための電極と、前記電極を介して前記不純物濃度層の電位を温度に応じて変化させて、前記シリコン膜の前記絶縁体膜に対する界面付近のバックチャネルの形成を抑制する温度補償回路とを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 613 B
, H01L 27/12 Z
, H01L 29/78 622
, H01L 29/78 626 C
