特許
J-GLOBAL ID：200903002661125509
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-045561
公開番号（公開出願番号）：特開平6-256956
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月13日
要約：
【要約】【目的】 従来装置より被処理物へのパーティクル付着が抑制されるとともに高密度プラズマが維持され、それだけ高速で欠陥の少ないプラズマ処理を実施できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ生成室1とこれに連設されたプラズマ処理室2とを備え、プラズマ処理室2内に被処理物5を設置し、プラズマ生成室1においてプラズマを発生させるとともに被処理物5に目的とする処理を施すためのガスGをガス導入管3にてこれら室へ導入し、プラズマ処理室2に接続された排気装置23及びプラズマ生成室1に接続された排気ポンプ15にて真空排気しつつプラズマ生成室1で発生させたプラズマをプラズマ処理室2へ導入して被処理物5に目的とする処理を施すプラズマ処理装置。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室とこれに連設されたプラズマ処理室とを備え、前記プラズマ処理室内に被処理物を設置し、前記プラズマ生成室においてプラズマを発生させるとともに前記被処理物に目的とする処理を施すためのガスをガス導入手段にてこれら室へ導入し、前記プラズマ処理室に接続された排気装置にて真空排気しつつ前記プラズマ生成室で発生させたプラズマを前記プラズマ処理室へ導入して前記被処理物に目的とする処理を施すプラズマ処理装置において、前記プラズマ生成室にも排気装置を付設したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/302
, H01L 21/31
