特許

J-GLOBAL ID：200903002667206993

化合物半導体エピタキシャル薄膜におけるキャリア濃度の測定方法

発明者： 満原 学 ,  中尾 正史 ,  小笠原 松幸 ,  杉浦 英雄
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007730
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204601
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】基板上に形成され、かつn型にドープされた化合物半導体エピタキシャル薄膜におけるキャリア濃度あるいはその面内分布を、非破壊、非接触の手段によって、短時間で容易に測定し、評価すること。【解決手段】前記化合物半導体エピタキシャル薄膜からの直接遷移型ホトルミネセンススペクトルあるいは前記ホトルミネセンススペクトルの面内分布を測定し、前記ホトルミネセンススペクトルのピーク半値幅から、予め求めたホトルミネセンススペクトルのピーク半値幅とキャリア濃度との関係に従い、前記化合物半導体エピタキシャル薄膜におけるキャリア濃度あるいは前記化合物半導体エピタキシャル薄膜におけるキャリア濃度の面内分布を求める。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、かつn型にドープされた化合物半導体エピタキシャル薄膜からの直接遷移型ホトルミネセンススペクトルあるいは前記ホトルミネセンススペクトルの面内分布を測定する工程と、前記ホトルミネセンススペクトルのピーク半値幅から、予め求めたホトルミネセンススペクトルのピーク半値幅とキャリア濃度との関係に従い、前記化合物半導体エピタキシャル薄膜におけるキャリア濃度あるいはキャリア濃度の面内分布を求める工程とを有することを特徴とする化合物半導体エピタキシャル薄膜におけるキャリア濃度の測定方法。