特許

J-GLOBAL ID：200903002671513752

半導体発光素子

発明者： 丸尾 泰弘
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014532
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200162
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子の高輝度化を達成すると共に信頼性を向上させることは困難であった。【解決手段】 半導体発光素子の半導体基体13の上面に全反射を抑制するための粗面領域18を設けて高輝度化を図る。電極14を鏡面領域17に形成するのみでなく、粗面領域18の一部にも形成する。電極14の周辺を粗面領域18に密着させ、半導体基体13の電極14の下部領域のエッチングを抑制する。

請求項（抜粋）：

第1の導電形の第1の半導体領域と前記第1の導電形と反対の第2の導電形の第2の半導体領域とがPN接合を形成するように配置された半導体基体と、前記半導体基体の一方の主面の一部において前記第1の半導体領域に接続された第1の電極と、前記半導体基体の他方の主面において前記第2の半導体領域に接続された第2の電極とを備え、前記一方の主面側に光を取り出すように構成された半導体発光素子において、前記一方の主面は鏡面領域と粗面領域とを備えており、前記鏡面領域は前記一方の主面の中央部分を含む領域に配置され、前記粗面領域は前記鏡面領域を包囲するように配置され且つ前記半導体基体の内部側から前記一方の主面に入射した光の全反射の割合を低減するように形成され、前記第1の電極は前記鏡面領域と前記粗面領域の一部分とに接続され、前記第1の電極の外縁は前記鏡面領域の外縁と前記粗面領域の外縁との間に配置され、前記第1の電極の前記鏡面領域の上方の平坦部分がワイヤの接続部分になっていることを特徴とする半導体発光素子。