特許
J-GLOBAL ID:200903002676048543

鋳込成形型およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 広瀬 章一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-014979
公開番号(公開出願番号):特開平6-226722
出願日: 1993年02月01日
公開日(公表日): 1994年08月16日
要約:
【要約】【目的】 成形体を汚染することがなく、急熱・急冷が可能な、特に半導体製造用炭化珪素質材料等の成形に有用な鋳込成形型とその製造法を提供する。【構成】 気孔率が30〜70vol.%、気孔径が1.0 〜30μm である高純度二酸化珪素多孔体を用いる。気孔率および気孔径は上記多孔体を1100〜1400°Cで熱処理することで調整する。
請求項(抜粋):
高純度二酸化珪素多孔体から成り、該多孔体の気孔率が30〜70vol.%、気孔径が 1.0〜30μmであることを特徴とする鋳込成形型。
IPC (3件):
B28B 1/26 101 ,  B28B 7/34 ,  C04B 38/00 304

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