特許

J-GLOBAL ID：200903002678211450

水素分離膜の製造方法

発明者： 小渕 彰 ,  伊藤 仁志 ,  谷口 浩之
出願人/特許権者： 三菱化工機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332626
公開番号（公開出願番号）：特開2001-145825
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】できるだけ低価格で、高透過性の水素分離膜を容易に製造できる水素分離膜の製造方法を提供する。【解決手段】水素含有ガスから水素を透過分離するPd系水素分離膜の製造方法において、形状形成基体の表面にPd若しくはPdを主体とした合金の薄膜を形成させたのち、形状形成基体を除去してPd系水素分離膜を製造する水素分離膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

水素含有ガスから水素を透過分離するPd系水素分離膜の製造方法において、形状形成基体の表面にPd若しくはPdを主体とした合金の薄膜を形成させたのち、形状形成基体を除去してPd系水素分離膜を製造する水素分離膜の製造方法。

IPC (3件)：

B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/56

FI (3件)：

B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/56 Z

Fターム (15件)：

4D006GA41 ,  4D006HA21 ,  4D006HA41 ,  4D006JA02A ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MC02X ,  4D006NA31 ,  4D006NA50 ,  4D006NA62 ,  4D006PB66 ,  4G040FA02 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FE01