特許

J-GLOBAL ID：200903002679282709

ドライエッチング装置及びドライエッチング方法

発明者： 林 久貴 ,  大岩 徳久 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151650
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022393
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 下地材料となるSiに対する30以上の高い選択比を持ち、しかも、エッチング速度が穴径によらず一定で、高アスペクト比の開口を形成することが可能で、かつ、酸化膜エッチング装置の洗浄工程にかかる時間を短縮し、スループットを大幅に向上させるため、反応容器内壁に膜が堆積しないようなドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供することにある。【構成】 プラズマ化したガスにより被処理基板をエッチングするドライエッチングに、0°C以下の温度に冷却された部分を反応室内に設けること、また、前記冷却部分は前記反応室より真空に保持したまま搬入・搬出ができることを特徴とするドライエッチング装置及びドライエッチング方法。

請求項（抜粋）：

気密反応容器内に被処理基板を収容する手段と、前記反応容器内にエッチングガスを導入する手段と、前記ガスを用いて前記被処理基板をエッチングするドライエッチング装置において、前記反応容器内に設けられ、0°C以下に保持される冷却手段と、前記反応容器内を真空に保持したまま前記冷却手段を前記反応容器内と容器外との間で移送する手段とを備えたことを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-146579
  
• 特開平3-138369
  
• 特開平3-224236
  
• 特開平4-061333