特許

J-GLOBAL ID：200903002684159117

半導体装置

発明者： 田中 みわ ,  中田 錬平 ,  早坂 伸夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187461
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032199
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】吸湿性および透水性が高い絶縁膜を提供すること。【解決手段】絶縁膜として、酸素および窒素のうち少なくとも酸素を含み、ラマン散乱スペクトルが、波数600〜610cm-1の範囲において散乱強度に関して極大値を有し、かつ上記範囲における散乱強度ピーク面積を波数440cm-1における散乱強度によって規格した値が3以下の絶縁性シリコン膜を用いる。

請求項（抜粋）：

酸素および窒素のうち少なくとも酸素を含む絶縁性シリコン膜を有する半導体装置において、前記絶縁性シリコン膜のラマン散乱スペクトルは、波数600〜610cm-1の範囲において散乱強度に関して極大値を有し、かつ前記範囲における散乱強度ピーク面積を波数440cm-1における散乱強度によって規格した値が3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 K ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371