特許
J-GLOBAL ID：200903002686849889
アクティブマトリックス基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151986
公開番号（公開出願番号）：特開平7-020494
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【構成】 基板と、基板上に形成された複数のゲート駆動電極と、該ゲート駆動電極と略直交する複数の画素信号駆動電極と、前記ゲート駆動電極と画素信号駆動電極との間に配設された画素電極と、前記ゲート駆動電極と前記画素信号駆動電極との交点に配設された画素スイッチング用の薄膜トランジスタと、各画素に対応して配設された補助容量素子とからなるアクティブマトリックス基板であって、前記画素電極は補助容量素子と前記薄膜トランジスタとに接続され、前記薄膜トランジスタは前記駆動電極と第1導電型のソース/ドレインが形成された活性層からなり、前記補助容量素子は下部電極、絶縁膜及びゲート駆動電極が積層して構成されており、前記下部電極の一部にのみ第2導電型の不純物が導入されているアクティブマトリクス基板。【効果】 形成時の特性劣化が改善された基板が得られる。
請求項（抜粋）：
基板と、基板上に形成された複数のゲート駆動電極と、該ゲート駆動電極と略直交する複数の画素信号駆動電極と、前記ゲート駆動電極と画素信号駆動電極との間に配設された画素電極と、前記ゲート駆動電極と前記画素信号駆動電極との交点に配設された画素スイッチング用の薄膜トランジスタと、各画素に対応して配設された補助容量素子とからなるアクティブマトリックス基板であって、前記画素電極は補助容量素子と前記薄膜トランジスタとに接続され、前記薄膜トランジスタは前記駆動電極と第1導電型のソース/ドレインが形成された活性層からなり、前記補助容量素子は下部電極、絶縁膜及びゲート駆動電極が積層して構成されており、前記下部電極の一部にのみ第2導電型の不純物が導入されていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
