特許
J-GLOBAL ID：200903002691277958
化合物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336376
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163576
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的の一つは、化合物半導体上におけるマスク形成技術を提供することにある。【解決手段】 窒化物化合物半導体2のドライエッチング後の表面4に導電性材料からなるマスク6を形成し、そのマスク6を用いて前記窒化物化合物半導体2に選択的に不純物を導入する。不純物導入のためのマスクとして導電性材料を使用するので、仮に、化合物半導体表面にマスク成分が残存したとしても、導電性を低下させる原因とはならない。よって、化合物半導体素子の電気的特性に悪影響を与えない
請求項（抜粋）：
窒化物化合物半導体のドライエッチング後の表面上に、少なくとも前記表面に接触する部分が導電性材料で構成されているマスクを形成する工程を含むことを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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