垂直共振型面発光レーザダイオードおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079060
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270561
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】安定した単一横モード発振が得られる面発光レーザを提供する。【解決手段】半導体基板1上の一部に、基板1面に垂直な方向に共振器構造を有するレーザ構造層2、3、4を形成する。レーザ構造層2、3、4の側面を非晶質GaAs層7により覆った形状とする。レーザ構造層は、下部ミラー層2と活性層3と上部ミラー層4とを順に積層した構造である。活性層3は、AlGaAs/GaAs多層膜またはInGaAs/GaAs多層膜により構成する。非晶質GaAs層7は、低温で形成でき、結晶質GaAs層よりも屈折率が高く、バンドギャップが小さい。よって、レーザ構造層に光を閉じこめ、単一横モード発振が得られる。

請求項（抜粋）：

垂直共振型面発光レーザダイオードの製造方法において、活性層としてAlGaAs/GaAs多層膜またはInGaAs/GaAs多層膜を半導体基板の上に成長させ、ミラー層および前記活性層をエッチングした共振層の露出されたミラー層および活性層の回りを覆うように非晶質GaAsを蒸着して安定した単一横モード発振が得られるようにした垂直共振型面発光レーザダイオードの製造方法。

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