特許
J-GLOBAL ID：200903002695796828
量子ドット結晶成長装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109652
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304098
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 原料ガスの流速を従来の10倍とすることで超平坦結晶表面を実現し、さらに量子ドットとして均一に結晶成長核を成長できる量子ドット結晶成長装置を提供する。【構成】 半導体結晶基板1をの黒鉛製サセプタ2で保持し、半導体結晶基板1と同じ結晶を向かい合わせるようにしてサセプタ2に蓋3をし、さたに黒鉛製押え4で保持する。サセプタ2と押え4で形成される開口部5には原料ガス6流入用のガイド管7が挿入される。原料ガスを50L/minで供給することによりキンクに置ける結晶成長速度が結晶核生成速度の5倍程度となり、超平坦結晶表面が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板と、前記半導体基板を保持しかつ原料ガスの流路を形成し加熱される反応管と、前記原料ガスを密閉するために前記反応管を包含する外管とで構成され、前記反応管の流路の断面積を小さくして前記半導体基板上の原料ガス流速を大きくするすることを特徴とする量子ドット結晶成長装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 25/14
, H01L 21/20
, H01L 29/04
