半導体装置の隔離のため浅いトレンチ内に深いトレンチを形成するための自己整合方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-524144
公開番号（公開出願番号）：特表2003-509861
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月11日
要約：

【要約】集積回路、特に無線周波数応用のための集積回路の製作において、前記回路に含まれる半導体装置の隔離のための浅い及び深いトレンチを形成する方法は、半導体基板(10)を準備し、前記基板上に第1の誘電体層(14)を随意に形成し、第1のマスク(16)を使用して少なくとも1つの浅いトレンチ(18)を形成し、前記浅いトレンチは前記基板の中ヘ延び、少くとも1つの浅いトレンチを形成するステップに続いて得られた構造上に所定の厚さ(2x)の第2の誘電体層(20)を形成し、少なくとも1つの開口(33)を前記第2の誘電体層内に第2のマスク(22)を使用して形成し、前記第2のマスクの縁(30)は前記浅いトレンチと所定の厚さ(2x)の半分の最大ミスアラインメント(+/-x)をもって前記浅いトレンチの縁(26)と整列し、浅いトレンチと共にその底部(18a)ヘ延び、これにより所定の厚さ(2x)と等しい幅のスペーサ(32)は前記浅いトレンチ内に且つその前記縁に沿って形成され、又深いトレンチ(34)を前記開口内に前記第2の誘電体層をハードマスクとして使用することにより形成し、前記深いトレンチは更に前記基板の中ヘ延び且つ前記浅いトレンチと自己整合する。

請求項（抜粋）：

集積回路、特に無線周波数応用のための集積回路の製作において、前記回路に含まれる半導体装置の隔離のための浅い及び深いトレンチを形成する方法は、- 半導体基板(10)を準備し、- 前記基板上に形成された第1のマスク(16)を使用して少なくとも1つの浅いトレンチ(18)を形成し、前記浅いトレンチは前記基板の中に延び、- 少なくとも1つの浅いトレンチを形成するステップに続いて得られる構造上に所定の厚さ(2x)の誘電体層(20)を形成し、- 前記誘電体層上に形成された第2のマスク(22)を使用して少なくとも1つの開口(33)を形成し、かつ前記第2のマスクの縁(30)を前記浅いトレンチの縁(26)と前記誘電体層の当該所定の厚さ(2x)の半分の最大ミスアラインメント(+/-x)で整列させ、前記開口は前記浅いトレンチ内でその底部(18a)へ延び、これにより当該所定の厚さ(2x)に等しい幅のスペーサ(32)が前記浅いトレンチ内でかつその前記縁に沿って形成され、- 前記誘電体層をハードデイスクとして使用して前記開口内に深いトレンチ(34)を形成し、前記深いトレンチは前記基板の中へ更に延びかつ前記浅いトレンチと自己整合することを特徴とする半導体装置の隔離のための浅い及び深いトレンチを形成する方法。

Fターム (22件)：

5F032AA35 , 5F032AA36 , 5F032AA44 , 5F032AA47 , 5F032AA67 , 5F032AA70 , 5F032BA02 , 5F032BA03 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032CA20 , 5F032DA02 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA30 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA53 , 5F032DA78

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-117062 出願人：富士通株式会社
特開平2-028330
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-245348 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-117062 出願人：富士通株式会社
特開平2-028330
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-245348 出願人：株式会社東芝

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